CCD結(jié)構(gòu)與MOS型集成電路分析顯微鏡
CCD(電荷耦合器)
CCD存儲(chǔ)器是隨著MOS型半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展而得到的器件,具有以往
半導(dǎo)體器件所沒(méi)有的許多特征,可以期望用子移位寄存器、攝像儀及數(shù)
字存儲(chǔ)器等。CCD的結(jié)構(gòu)與MOS型的集成電路相類似。在n型硅基板上經(jīng)
由氧化膜,過(guò)石印術(shù)使電極一個(gè)挨一個(gè)地排在一起。給電極加負(fù)壓,則
在氧化層下形成“電位井”。因此,采用某種辦法由外部引入作為載體
的少量空穴,則集攏于“電位井”。然后向鄰接的電極施加更大的負(fù)電
壓,則積蓄在原電極下的空穴進(jìn)而向鄰近的電位井移動(dòng)。如此不斷重復(fù)
下去,沿多數(shù)電極列移動(dòng)電荷是可能的。
由于受光照也可能發(fā)生空穴,把光信號(hào)作為電荷積起來(lái),定時(shí)沿電
概列傳送,可以由輸出端作為電信號(hào)取出。CCD應(yīng)用于攝像儀,稱為“電
子照相機(jī)”或“固體照相機(jī)”。由于集成電路能將CCD拾得的光信息加
以存儲(chǔ)和處理,故利用CCD的攝像儀在未來(lái)的“電子照相機(jī)”方面的應(yīng)
用前景相當(dāng)光明。磁泡作為新型存儲(chǔ)器,“磁泡”這個(gè)詞大概許多人都
聽說(shuō)過(guò)。在沿厚度方向易于發(fā)生磁化的強(qiáng)磁性體薄膜的垂直方向上,
